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APT10090SLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MAT10090	文件：460.03 Kbytes Page：3 Pages	Attenuator DIE 文件：460.03 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
P10090	文件：72.54 Kbytes Page：4 Pages	InAs photovoltaic detector 文件：72.54 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SPB10090	文件：131.039 Kbytes Page：2 Pages	2 X 100A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：131.039 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

详细参数

型号：
APT10090SLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 7®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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