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APM2317AC-TRL	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2317AC-TRL	文件：1.040369 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2317	文件：17.66 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2317DFO	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2317-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2317-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2317-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2317-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2317-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AA-2317	文件：119.33 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??FullyInsulatedPiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),18-22AWG,RedInsulator,Loose	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
AA-2317T	文件：119.71 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??FullyInsulated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
AA-2317X	文件：109.24 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??FullyInsulatedPiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),18-22AWG,ExpandedBlueInsulatorTape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
AA-2317XT	文件：109.62 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??FullyInsulatedPiggybackQuickDisconnect	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
AM2317	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES -20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ReliableandRugged AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2317A	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2317B	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-20VSINGLEP-CHANNELMOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES TrechDMOSTechnology 1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2317P	文件：243.37 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelMOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,printers,PCMCIA	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AN2317	文件：263 Kbytes Page：27 Pages	EnergyMeteringICExternalCircuits	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AP2317	文件：156.56 Kbytes Page：13 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2317	文件：161.19 Kbytes Page：14 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI

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详细参数

型号：
APM2317AC-TRL
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APM2317AC-TRL供应商更新时间2024-4-29 16:20:00

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