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CES2317	文件：396.52 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -30V, -3.1A, RDS(ON) = 80mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 90mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 120mW @VGS = -2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ SOT-23 package. 文件：396.52 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CES2317	文件：398.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, -3.1A, RDS(ON) = 80mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 90mW @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. SOT-23 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 120mW @VGS = -2.5V. 文件：398.36 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CES2317	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CPC2317N	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	Dual Single-Pole 8-Pin SOIC OptoMOS짰 Relay 文件：126.1 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
CPC2317NTR	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	Dual Single-Pole 8-Pin SOIC OptoMOS짰 Relay 文件：126.1 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DA2317-AL	文件：160.98 Kbytes Page：1 Pages	SMT Gate Drive Transformers 文件：160.98 Kbytes 页数：1 Pages	COILCRAFT	COILCRAFT

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