650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP7N65D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至3.5V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 650V，ID = 7A \nRDS（ON）<1.15mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<1.4mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-251插件封装;

APM

永源微

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件：1.11286 Mbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件：517 Kbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package

文件：891.49 Kbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子