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FIR60N03PG	文件：3.52397 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQB60N03L	文件：238.51 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB60N03L	文件：287.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.0135Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD60N03L	文件：124.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFETs30V,30A,0.023ohm GeneralDescription ThisdeviceemploysadvancedMOSFETtechnologyandfeatureslowgatechargewhilemaintaininglowonresistance.Optimizedforswitchingapplications,thisdeviceimprovestheoverallefficiencyofDC/DCconvertersandallowsoperationtohigherswitchingfrequencies. F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD60N03L	文件：305.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.019Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP60N03L	文件：651.43 Kbytes Page：8 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •60A,30V.RDS(on)=0.0135Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical18.5nC) •LowCrss(typical155pF) •Fa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF60N03L	文件：655.68 Kbytes Page：8 Pages	30VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GE60N03	文件：275.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GE60N03	文件：272.16 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE60N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationsuchas	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GFP60N03	文件：115.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLow On-Resistance •SpeciallyDesignedforLowVoltageDC/DC Converters •FastSwitchingforHighEfficiency	GE GE Industrial Company	GE

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详细参数

型号：
AP60N03GJ
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
Low On-Resistance Fast Switching

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