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MAX2306ETI	文件：197.59 Kbytes Page：20 Pages	SupportsDual-Band,Triple-ModeOperation	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2306EVKIT	文件：583.81 Kbytes Page：12 Pages	SMAConnectorsonAllSignalPorts	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
ME2306	文件：475.41 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME2306A	文件：1.02606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME2306D	文件：486.78 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MEM2306SG	文件：259.542 Kbytes Page：7 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
MSN2306	文件：422.4 Kbytes Page：6 Pages	30V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導體摩矽半導體有限公司	MORESEMI
MT2306	文件：475.3 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE2306	文件：23.7 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsHighVoltagePowerAmplifier Description: TheNTE2305(NPN)andNTE2306(PNP)aresiliconcomplementarytransistorsinaTO218typepackagedesignedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. Features: •HighCollector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(sus)=16	NTE NTE Electronics, Inc	NTE

详细参数

型号：
AP2306CGTN-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance

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