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AP2309GN

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:69.76 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309GN

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.04714 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP2309GN-HF

Simple Drive Requirement, Small Package Outline

文件:113.75 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309GN-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:113.75 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309GN-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:103.43 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2309GN

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    -3.7

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    75

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    120

  • Ciss (pF):

    412/660

  • Qg (nC):

    5/8

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更多AP2309GN供应商 更新时间2025-12-2 8:30:00