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AP2302N-HF	文件：92.21 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23Spackageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageappl	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP2302N-HF_14	文件：92.2 Kbytes Page：4 Pages	Lower Gate Charge	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
ASI2302	文件：18.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2302isDesignedforGeneralpurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3000MHz. FEATURES: •PG=9.5dBmin.at2W/2300MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-2302	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
ATN2302	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AUIRS2302S	文件：394.78 Kbytes Page：19 Pages	Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation	IRF International Rectifier	IRF
BB-2302	文件：117.34 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BB-2302T	文件：116.13 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BC2302	文件：2.67155 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS Description TheBC2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. DS(ON), Application Batteryprotection Loadswitch Uni	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC2302ET	文件：416.55 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Feature ⚫20VN-ChannelMOSFETHighDenseDesign. ⚫RDS(ON)=280m(typ.)@VGS=4.5V ⚫RDS(ON)=360m(typ.)@VGS=2.5V ⚫ReliableandRugged ⚫ESDProtected Applications ⚫PortableEquipmentandBatteryPowerSystems	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
AP2302N-HF
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP2302N-HF供应商更新时间2025-7-15 18:19:00

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