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APT1002RDN	文件：331.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARJ-1002	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASI1002	文件：18.18 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1002isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: •PG=12dBminat2W/1,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1002	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
AU-Y1002-A	文件：239.28 Kbytes Page：1 Pages	CABLE28AWG,UL2725	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN

详细参数

型号：
AP1002
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP1002供应商更新时间2025-7-23 17:30:00

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