30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP100N03P采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 30V，ID = 100A \nRDS（ON）<4.5m\nΩ@ V GS = -2.5V RDS（ON）<6.5m\nΩ@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-220大电流封装;

APM

永源微

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel; Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avalanc

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Infineon

英飞凌

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件：387.61 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌