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AOV11S60	文件：93.91 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8PACKAGEMARKINGSDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOV11S60L	文件：93.91 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8PACKAGEMARKINGSDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V11AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW11S60&AOWF11S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW11S60	文件：342.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOWF11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V11AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW11S60&AOWF11S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
T11S60	文件：1.03489 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
AOT11S60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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