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AOW11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S60 & AOWF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：282.99 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW11S60	文件：342.84 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 11A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.399Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to 文件：342.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW11S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 11A αMOS™ Power Transistor\n	AOS 美国万代	AOS
AOWF11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S60 & AOWF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：282.99 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
T11S60	文件：1.03489 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03489 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
178
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
11
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
545
Coss (pF)：
37.30
Crss (pF)：
1.42
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
20
tD(off) (ns)：
59
Trr (ns)：
250
Qrr (nC)：
3300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOW11S60供应商更新时间2025-12-2 13:31:00

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