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AOWF11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V 11A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW11S60 & AOWF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：282.99 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF11S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 11A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
T11S60	文件：1.03489 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03489 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB11S60	文件：297.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 11A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.399Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to 文件：297.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB11S60	文件：1.03889 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Telecommunications - Server and telecom power supplies • Light 文件：1.03889 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB11S60	文件：297.68 Kbytes Page：6 Pages	600V 11A a MOS Power Transistor General Description The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：297.68 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
28
10V：
399
Qg (10V)(nC)：
11
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
545
Coss (pF)：
37.30
Crss (pF)：
1.42
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
20
tD(off) (ns)：
59
Trr (ns)：
250
Qrr (nC)：
3300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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