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AOTF11S60L	文件：508.66 Kbytes Page：7 Pages	600V11AaMOS GeneralDescription TheAOT11S60&AOB11S60&AOTF11S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOV11S60	文件：93.91 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8PACKAGEMARKINGSDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOW11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V11AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW11S60&AOWF11S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW11S60	文件：342.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOWF11S60	文件：282.99 Kbytes Page：6 Pages	600V11AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW11S60&AOWF11S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
T11S60	文件：1.03489 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
AOT11S60
制造商：
SHENZHENFREESCALE
制造商全称：
ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd
功能描述：
600V 11A a MOS TM Power Transistor

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