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AOD442	文件：454.72 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AOD442；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 37A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：454.72 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD442	文件：573.86 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD442 used advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Those devices are suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 37A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：573.86 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD442	文件：252.6 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD442 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AOD442L (Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = 60V ID = 38A 文件：252.6 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD442	文件：293.46 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 37A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum L 文件：293.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD442	文件：896.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：896.87 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD442	文件：1.01357 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=50A,RDS(ON) 文件：1.01357 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD442	文件：338.63 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：338.63 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD442	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD442G	文件：293.82 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 40A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 18mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum L 文件：293.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD442L	文件：338.63 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：338.63 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
20
4.5V：
25
ID @ 25°C (A)：
38
PD @ 25°C (W)：
60
Qg (10V)(nC)：
47.60
Qg (4.5V)(nC)：
24.20
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
1920
Coss (pF)：
155
Crss (pF)：
116
Qgd (nC)：
14.40
tD(on) (ns)：
7.40
tD(off) (ns)：
28.20
Trr (ns)：
3
Qrr (nC)：
46
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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