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AO4832	文件：438.23 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4832；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 10A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：438.23 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4832	文件：643.32 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4832；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10V) 10A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：643.32 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4832	文件：1.89879 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 0-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.89879 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4832	文件：5.66909 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4832；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RDs(ON)=16 mQ @VGS=10V RDS(ON) =20 mQ @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely low RDs(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 文件：5.66909 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4832	文件：1.30216 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 30V, ID= 12 A RDS(ON) 文件：1.30216 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
AO4832	文件：2.01129 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4832；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 10A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.01129 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4832	文件：114.89 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4832 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 sp 文件：114.89 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4832	文件：552.01 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：552.01 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4832	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4832	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管（MOSFET）	Techpublic 台舟电子	Techpublic

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
13
4.5V：
17.50
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
10
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6.60
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
760
Coss (pF)：
125
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
4.40
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
7
Qrr (nC)：
8
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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