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AO4832

Dual N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO4832

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

RDs(ON)=16mQ@VGS=10V RDS(ON)=20mQ@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDs(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

AO4832

30V N-Channel MOSFET

ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)

AO4832

30V Dual N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)withlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

AO4832

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=30V,ID=12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

AO4832

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4832

N-Channel 0-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AO4832

30V Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4832-HF

Dual N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO4832L

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4832_11

30V Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

详细参数

  • 型号:

    AO4832

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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120000
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更多AO4832供应商 更新时间2024-11-11 14:57:00