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AO4832-HF	文件：2.70877 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4832；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 10A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.70877 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4832L	文件：114.89 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4832 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 sp 文件：114.89 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4832_11	文件：552.01 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：552.01 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
13
4.5V：
17.50
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
10
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6.60
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
760
Coss (pF)：
125
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
4.40
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
7
Qrr (nC)：
8
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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