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AO4832中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

AO4832
厂商型号

AO4832

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

114.89 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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AO4832规格书详情

General Description

The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4832 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4832L is a Green Product ordering option. AO4832 and AO4832L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 30V

ID = 8 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 4.5)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AO4832

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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