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AO4832规格书详情
General Description
The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4832 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4832L is a Green Product ordering option. AO4832 and AO4832L are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID = 8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 4.5)
RDS(ON)
产品属性
- 型号:
AO4832
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
45000 |
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AOS |
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SOP8 |
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AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
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AOS |
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SOP8 |
3000 |
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AOS/万代 |
22+ |
SOP8 |
100000 |
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AOS/万代 |
23+ |
SO-8 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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AOS/万代 |
22+ |
SO8 |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
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AOS |
2024+ |
SOIC-8 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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AOS(万代) |
23+ |
NA |
20094 |
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AOS |
2430+ |
SOP8 |
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