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CLL4712

LOWLEVELZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4678SeriesSiliconLowLevelZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage. MARKING:CATHODEBAND

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CLL4712

SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODES

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMHZ4712

LOWLEVELZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMHZ4678serieslowlevelsiliconZenerdiodeisahighlyreliablevoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODEONELECTRICALCHARACTERISTICTABLE

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMHZ4712

SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMPZ4712

SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODE350mW,5TOLERANCE

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMPZ4712

350mWLOWLEVELZENERDIODE5TOLERANCE

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPZ4678Seriessiliconzenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMPZ4712

SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODE

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CZRW4712-G

SMDZenerDiode

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

DMG4712SSS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

GC4712

TMCONTROLDEVICES-LIMITERDIODES

0BDESCRIPTION TheGC4700seriesdiodesarespeciallyprocessedPINdiodesdesignedforuseinpassiveoractivelimitersatfrequenciesthroughKuband.Thirteencategoriesofdevicesareofferedforflexibilityindesignoflow,mediumandhighpowerlimiters. KEYFEATURES Available

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

详细参数

  • 型号:

    AO4712

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SRFET™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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专营AOS美国万代 优势现货 AOS全系列 场效应管
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更多AO4712供应商 更新时间2025-7-14 16:36:00