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MMBZ4712	文件：40.39 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES ♦SiliconPlanarZenerDiodes ♦StandardZenervoltagetoleranceis±5.Othertolerancesareavailableuponrequest ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10secondsatterminals. ♦ThesediodesarealsoavailableinDO-35casewiththetypedesignation1N4681...1N4717andS	GE GE Industrial Company	GE
MMBZ4712	文件：84.34 Kbytes Page：4 Pages	AEC-Q101qualifiedavailable FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5. •AEC-Q101qualifiedavailable •ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101: Humanbodymodel>8kV Machinemodel>800V •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-RoHS-compliant,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ4712-G	文件：89.41 Kbytes Page：4 Pages	SiliconplanarZenerdiodes FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5. •AEC-Q101qualified •ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101:Humanbodymodel>8kVMachinemodel>800V •BaseP/N-G3-green,commercialgrade •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ4712-V	文件：92.15 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalZenerDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ4712-V	文件：170.86 Kbytes Page：7 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5.Othertolerancesareavailableuponrequest •ThesediodesarealsoavailableinDO-35casewiththetypedesignation1N4681to1N4717andSOD-123casewiththetypedesignationMMSZ4681-VtoMMSZ4717-V •AEC-Q1	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
AO4712
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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