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AO4430	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4430/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. AO4430 and AO4430 文件：284.28 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4430	文件：1.21507 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4430；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.21507 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4430	文件：1.83771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.83771 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4430	文件：2.18635 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4430/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. AO4430 and AO4430 文件：2.18635 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4430	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO4430	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-Channel MOSFET	JSMICRO 杰盛微	JSMICRO
AO4430	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO4430A	文件：993.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：993.26 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4430-HF	文件：1.80181 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4430；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.80181 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4430L	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4430；Package：SO-8；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4430/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. AO4430 and AO4430 文件：284.28 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
5.50
4.5V：
7.50
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
18
PD @ 25°C (W)：
3
Qg (4.5V)(nC)：
48
Qg (10V)(nC)：
103
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
6060
Coss (pF)：
638
Crss (pF)：
355
Qgd (nC)：
15
tD(on) (ns)：
12
tD(off) (ns)：
51.50
Trr (ns)：
33.50
Qrr (nC)：
22
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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