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AO4430A	文件：993.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4430-HF	文件：1.80181 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4430L	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4430/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. AO4430andAO4430	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4430GEM	文件：255.17 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4430GM-HF	文件：99.22 Kbytes Page：4 Pages	Ultra_LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
APM4430	文件：179.27 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4430K	文件：121.78 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4430KC-TR	文件：121.78 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4430KC-TR	文件：179.27 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4430KC-TRL	文件：121.78 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC

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