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AO4430L	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4430；Package：SO-8；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4430/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. AO4430 and AO4430 文件：284.28 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
5.50
4.5V：
7.50
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
18
PD @ 25°C (W)：
3
Qg (4.5V)(nC)：
48
Qg (10V)(nC)：
103
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
6060
Coss (pF)：
638
Crss (pF)：
355
Qgd (nC)：
15
tD(on) (ns)：
12
tD(off) (ns)：
51.50
Trr (ns)：
33.50
Qrr (nC)：
22
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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