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AO4406 | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription TheAO4406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdevicemakesanexcellenthighsideswitchfornotebookCPUcoreDC-DCconversion. Features VDS(V)=30V ID=11.5A RDS(ON) | ALPHA Alpha Industries | ALPHA | |
AO4406 | N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=11.5A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | |
AO4406 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4406/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdevicemakesanexcellenthighsideswitchfornotebookCPUcoreDC-DCconversion.AO4406andAO4406Lareelectricallyidentical. | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | AOSMD | |
AO4406 | N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS=10V) | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | AOSMD | ||
30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS | WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司 | WHXPCB | ||
N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
Marking：AO4406；Package：SOP-8；11N06C 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeaturesVDS=30VID=12A RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
Marking：AO4406；Package：SOP-8；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheAO4406Ausesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=12A RDS(ON) | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 | EVVOSEMI |
详细参数
- 型号：
AO4406
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS(万代) |
24+ |
标准封装 |
8133 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
AOS |
16/17+ |
SOP8 |
7622 |
AOS现货库存长期供应 |
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AOS/万代 |
22+ |
SOP8 |
800000 |
原装正品 |
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AOS万代 |
23+ |
sop-8 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
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AOS万代 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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AOS |
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333888 |
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AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
498160 |
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AOS |
2024+ |
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70000 |
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SMD |
1083 |
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AO |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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