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AP2317S-ADJ	文件：156.56 Kbytes Page：13 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2317S-ADJTR	文件：156.56 Kbytes Page：13 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
APM2317A	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TR	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TRG	文件：1.04054 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2317AC-TRL	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TRL	文件：1.040369 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2317	文件：396.52 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2317	文件：398.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CPC2317N	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole8-PinSOICOptoMOS짰Relay	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	AN231E04	ANADIGM	0621+	QFN44	10788	只做原厂原装,认准宝芯创配单专家	询价
深圳市昊创电子有限公司	AN231E04	ANADIGM	1902+	QFN44	2734	代理品牌	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AN231E04-E2-ES	ANADIGM	23+	QFN44	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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