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AM2301AE3SVR	文件：335.01 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET -20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2301AisavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=-20V RDS(ON),VGS@-4.5V,IDS@-4.7A=70mΩ RDS(ON),VGS@-2.5V,IDS@-1.0A=110mΩ AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2301B	文件：812.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET -20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES SuperHighdensecelldesignforextremelylow RDS(ON)ReliableandRugged AvailableinSOT23package APPLICATIONS PowerManagement PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2301E3SR	文件：439.93 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2301istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity.advancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)..lowgatechargeandoperationgateas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorothergenera	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2301E3SVR	文件：439.93 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2301istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity.advancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)..lowgatechargeandoperationgateas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorothergenera	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2301PE	文件：90.14 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,printers,PCMCIA	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM2302	文件：1.37981 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION TheAM2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. AM2302isavailableinaSOT-23Spackage. FEATURES	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2302E3SR	文件：1.37981 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION TheAM2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. AM2302isavailableinaSOT-23Spackage. FEATURES	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2302E3SVR	文件：1.37981 Mbytes Page：9 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION TheAM2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. AM2302isavailableinaSOT-23Spackage. FEATURES	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2303	文件：623.89 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2303istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity.advancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)lowgatechargeandoperationgateas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor othergeneral	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2303E3R	文件：623.89 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2303istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity.advancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)lowgatechargeandoperationgateas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor othergeneral	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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详细参数

型号：
AM23
制造商：
TEMPATRON
功能描述：
CAM TIMER 110V MOTOR
功能描述：
CAM TIMER, 110V, MOTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	AM2361P-T1-PF	Analogpow		SOT23	6000	原装长期供货!	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	AM2359P-T1-PF		13+	SOT-23-	4393	原装分销	询价
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深圳市福田区绿盛电子商行	AM2342E3VR	AIT	2015+	SOT23-3	29898	专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品	询价
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