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AM2301E3SVR中文资料创瑞科技数据手册PDF规格书

AM2301E3SVR
厂商型号

AM2301E3SVR

功能描述

MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件大小

439.93 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 AiT Semiconductor Inc.
企业简称

AITSEMI创瑞科技

中文名称

AiT创瑞科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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AM2301E3SVR规格书详情

DESCRIPTION

The AM2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and operation gate as 2.5V.

This device is suitable for use as a load switch or other general applications.

The AM2301 is available in SOT-23S Package

FEATURES

 -20V/-3.0A, RDS(ON) =80mΩ(typ.)@VGS =-4.5V

 -20V/-2.0A, RDS(ON) =105mΩ(typ.)@VGS =-2.5V

 Super high density cell design for extremely low

Gate Charge

 Exceptional on-resistance and Maximum DC

current capability

 Available in SOT-23S Package

APPLICATIONS

 Power Management in Note book

 Portable Equipment

 Networking DC-DC Power System

 Load Switch

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