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BAS521	文件：59.77 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS521	文件：768.09 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes ■Features ●Highswitchingspeed:trr≤50ns ●Highreversevoltage:VR≤300V ●Repetitivepeakforwardcurrent:IFRM≤1A ●High-speedswitching ●High-voltageswitching	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS521	文件：336.5 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HighSpeedandHighVoltageSwitchingDiode	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BAS521	文件：271.13 Kbytes Page：4 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS521	文件：352.44 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAS521	文件：865.69 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Fastswitchingspeed Highconductance	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	Singlehigh-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedina SOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •Highreversevoltage:VR≤200V •Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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