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AIKB15N65DF5	文件：1.57983 Mbytes Page：16 Pages	Marking：AK15EDF5；Package：PG-TO263-3；High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •IGBTcopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystre	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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文件：1.57983 Mbytes

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Marking：AK15EDF5；Package：PG-TO263-3；High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode

FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •IGBTcopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystre

InfineonInfineon Technologies AG

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