AIHD06N60R规格书应用电路批发采购英飞凌-114ic电子网

首页 >AIHD06N60R>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
AIHD06N60R	文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages	Marking：AH06DR；Package：PG-TO252-3；IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIHD06N60RF	文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages	Marking：AH06DRF；Package：PG-TO252-3；IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CJP06N60	文件：227.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMT06N60	文件：246.73 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子工业股份有限公司	CHAMP
CMT06N60	文件：193.63 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子工业股份有限公司	CHAMP
CMT06N60	文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
EMD06N60A	文件：199.56 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD06N60CS	文件：200.92 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD06N60F	文件：177.2 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FMC06N60ES	文件：332.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	AIHD06N60R	Infineon(英飞凌)	2447	PG-TO252-3-313	115000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	2021+	PG-TO252-3-313	9600	原装现货，欢迎询价	询价
深圳市富利微电子科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	24+	PG-TO252-3-313	25000	原装正品,假一赔十!	询价
深圳市斌能达电子科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	24+	PG-TO252-3-313	6000	全新原装深圳仓库现货有单必成	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	21+	PG-TO252-3-313	6820	只做原装,质量保证	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	23+	PG-TO252-3-313	10000	原装正品，支持实单	询价
深圳市振宏微科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	23+	PG-TO252-3-313	25630	原装正品	询价
深圳市力仕科电子科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	25	PG-TO252-3-313	6000	原装正品	询价
浙江永芯科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon	23+	标准封装	5000	原厂授权一级代理 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保	询价
深圳市英特法电子科技有限公司	AIHD06N60R	Infineon/英飞凌	2023+	PG-TO252-3-313	6000	原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供	询价

更多AIHD06N60R供应商更新时间2025-7-23 15:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号