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AIHD06N60RF	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级IGBT TRENCHSTOP™ RC-Series for hard switching Automotive applications with integrated diode in packages offers space saving advantage. • Optimized V CE(sat) and V F for low conduction losses\n• Smooth switching performance leading to low EMI levels\n• Very tight parameter distribution\n• Operating range of 1 to 20kHz\n• Maximum junction temperature 175°C\n• Short circuit capability of 5µs\n• Best-in-Class current versus package siz;	Infineon 英飞凌	Infineon
AIHD06N60RF	文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AH06DRF；Package：PG-TO252-3；IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.74081 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
CJP06N60	文件：227.22 Kbytes Page：4 Pages	Power filed Effect Transistor FEATURES ◆ Robust High Voltage Termination ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：227.22 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CMT06N60	文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：191.5 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CMT06N60	文件：193.63 Kbytes Page：6 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy effic 文件：193.63 Kbytes 页数：6 Pages	CHAMP 虹冠电子	CHAMP

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
4 kHz
Switching Frequency max：
30 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
6 A
VCE(sat)：
2.2 V
Qualification：
Automotive
Eon：
0.09 mJ
Eoff Hard Switching：
0.13 mJ
IF max：
12 A
Qrr：
160 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0bb301f2=AIHD06N60RF
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO252-3
td(on)：
8 ns
tr：
8 ns
td(off)：
105 ns
tf：
22 ns
QGate：
48 nC
IC @ 25° max：
12 A
IFpuls max：
18 A
VF：
2.1 V
Irrm：
7.4 A
ICpuls max：
18 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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更多AIHD06N60RF供应商更新时间2025-10-16 22:59:00

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