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AIGB40N65F5	文件：1.45739 Mbytes Page：14 Pages	Marking：AG40EF5；Package：PG-TO263-3；High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresstested •QualifiedaccordingtoAEC-Q101 •Greenpackage(	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIGB40N65F5ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：DISCRETE SWITCHES	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIGBE40N65F5	文件：1.71006 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5F5technology FeaturesandBenefits: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresstested •QualifiedaccordingtoAEC-Q101 •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Innovative	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKP40N65F5	文件：2.73952 Mbytes Page：18 Pages	650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP™5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowQG •IGBTcopackedwithRAPID	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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