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IGP40N65F5	文件：2.49694 Mbytes Page：15 Pages	High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP40N65F5	文件：2.30767 Mbytes Page：15 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IGP40N65F5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 74A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIGB40N65F5	文件：1.45739 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technology FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresstested •QualifiedaccordingtoAEC-Q101 •Greenpackage(	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IGP40N65F5
功能描述：
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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