AIGBE40N65F5中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	AIGBE40N65F5
功能描述	High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 F5 technology
丝印标识	AGE40EF5
封装外壳	PG-TO263-7-11
文件大小	1.71006 Mbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-6 16:09:00
人工找货	AIGBE40N65F5价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features and Benefits:

• Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant

topologies

• 650V breakdown voltage

• Low gate charge QG

• Maximum junction temperature 175°C

• Dynamically stress tested

• Qualified according to AEC-Q101

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Innovative high creepage D2PAK SMD package

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

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