丝印：AD1665C5；Package：PG-TO247-3-41；650V/16A Silicon Carbide Schottky Diode in TO247-3 CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Benchmark switching behavior  No reverse recovery/ No forward recovery  Temperature independent switching behavior  High surge current capability  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Junction Temperature range from -

文件：839.79 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

CoolSiC™ 肖特基二极管

第五代 CoolSiC ™汽车肖特基二极管体现了英飞凌先进的碳化硅肖特基势垒二极管技术。其紧凑的设计和基于薄晶圆的技术可在所有负载条件下提供更高的效率，并具有卓越的热特性和较低的品质因数（Qc x Vf）。作为英飞凌 IGBT 和 CoolMOS ™产品组合的补充，它可以满足 650V 电压等级的苛刻应用要求。 • 革命性的半导体材料 - 碳化硅\n• 无反向恢复/无正向恢复\n• 高浪涌电流能力\n• 结温范围：-40°C 至 175°C\n• 由于冷却要求降低，节省系统成本/尺寸\n• 由于工作温度较低，系统可靠性更高\n• 降低 EMI;

Infineon

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247

Infineon

英飞凌

650V/16A Silicon Carbide Schottky Diode in D2PAK (Real 2 Pins) CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Benchmark switching behavior • No reverse recovery/No forward recovery • Temperature independent switching behavior • High surge current capability • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Junction Temperature range

文件：753.32 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌