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AIDK16S65C5	文件：753.32 Kbytes Page：11 Pages	Marking：AD1665C5；Package：PG-TO263-2-1；650V/16A Silicon Carbide Schottky Diode in D2PAK (Real 2 Pins) CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5 Features •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Benchmarkswitchingbehavior •Noreverserecovery/Noforwardrecovery •Temperatureindependentswitchingbehavior •Highsurgecurrentcapability •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •JunctionTemperaturerange	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIDW16S65C5	文件：839.79 Kbytes Page：11 Pages	650V/16ASiliconCarbideSchottkyDiodeinTO247-3CoolSiC™AutomotiveSchottkyDiode650VG5 Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant JunctionTemperaturerangefrom-	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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AIDK16S65C5

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Marking：AD1665C5；Package：PG-TO263-2-1；650V/16A Silicon Carbide Schottky Diode in D2PAK (Real 2 Pins) CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Benchmarkswitchingbehavior •Noreverserecovery/Noforwardrecovery •Temperatureindependentswitchingbehavior •Highsurgecurrentcapability •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •JunctionTemperaturerange

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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650V/16ASiliconCarbideSchottkyDiodeinTO247-3CoolSiC™AutomotiveSchottkyDiode650VG5

Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant JunctionTemperaturerangefrom-

InfineonInfineon Technologies AG

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