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AHEV2290	文件：300 bytes Page：1 Pages	高容量断路继电器	Panasonic 松下	Panasonic
AON2290	文件：227.61 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AON2290 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 100V ID (at VGS=1 文件：227.61 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
APL2290-RT	文件：230.62 Kbytes Page：2 Pages	PLL Synthesizer Module 文件：230.62 Kbytes 页数：2 Pages	ASB	ASB
CHA2290	文件：128.84 Kbytes Page：8 Pages	10-18GHz Low Noise, Variable Gain Amplifier Description The CHA2290 is a high gain four-stage monolithic low noise amplifier with variable gain. It is designed for a wide range of applications, from military to commercial communication systems. The backside of the chip is both RF and DC grounded. This helps to simplify the assembly process 文件：128.84 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS

触点材料：
AgNi type
额定控制容量(电阻负载)：
20A 800V DC
触点最大允许电压：
1
触点最大允许电流：
25A
最小适用负载(参考値)：
100mA 5V DC
线圈额定电压：
6V DC
额定消耗功率：
1
感性电压：
额定电压的70%V以下(初始)
释放电压：
额定电压的5%V以上(初始)
机械寿命：
100万次以上(通断频率180次/分钟)
电气寿命：
20A 800V DC 1
耐电压(触点间)：
2000Vrms
耐电压(触点-线圈间)：
5000Vrms
使用条件：
温度：-40℃～＋55℃(线圈保持电压 33%～110%V时)温度：-40℃～＋85℃(线圈保持电压33%～60%V时)湿度：5～85%RH(但，应无结冰、凝露)
保护构造：
焊剂密封型
动作机能：
单稳态型
端子形状：
印刷电路板用端子

更多AHEV2290供应商更新时间2026-3-17 15:42:00