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AON2290	文件：227.61 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AON2290 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 100V ID (at VGS=1 文件：227.61 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON2290	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
APL2290-RT	文件：230.62 Kbytes Page：2 Pages	PLL Synthesizer Module 文件：230.62 Kbytes 页数：2 Pages	ASB	ASB
CHA2290	文件：128.84 Kbytes Page：8 Pages	10-18GHz Low Noise, Variable Gain Amplifier Description The CHA2290 is a high gain four-stage monolithic low noise amplifier with variable gain. It is designed for a wide range of applications, from military to commercial communication systems. The backside of the chip is both RF and DC grounded. This helps to simplify the assembly process 文件：128.84 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS
CZRB2290	文件：66.93 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Zener Diodes 文件：66.93 Kbytes 页数：3 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

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更多AON2290供应商更新时间2026-1-26 11:12:00