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AH266	文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Hall Effect Latch General Description AH266 is an integrated Hall sensor with output drivers designed for electronic commutation of brush-less DC motor applications. The device includes an on-chip Hall voltage generator for magnetic sensing, a comparator that amplifies the Hall voltage, and a Schmitt trigger to pr 文件：165.13 Kbytes 页数：6 Pages	ANACHIP 易亨电子	ANACHIP
AH266	文件：215.54 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：215.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AH266	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：195.54 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AH266	文件：189.79 Kbytes Page：11 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：189.79 Kbytes 页数：11 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AH266	文件：58.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：58.99 Kbytes 页数：2 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AH266_07	文件：189.79 Kbytes Page：11 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：189.79 Kbytes 页数：11 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
AH266_13	文件：215.54 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：215.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AH266K-PG-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：195.54 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AH266K-PG-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：195.54 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
AH266K-PL-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH 文件：195.54 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Supply Current：
3.5 mA
Average Output Drive Current：
400 mA
Peak Output Current：
800 mA
Typical Total RDS(ON) (NMOS and PMOS Combined)：
3 @ 24V Ω
Typical Zener Breakdown Voltage：
31 V
Grade：
A
Operating Point Bop Gauss (Min)：
10
Operating Point Bop Gauss (Max)：
70
Release Point Brp Gauss (Min)：
-70
Release Point Brp Gauss (Max)：
-10
Frequency Generator (FG) and Rotation Detect：
- RD
Operating Ambient Temperature：
-20 to 85 °C
Packages：
SIP-4/TO94

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更多AH26供应商更新时间2025-12-21 14:01:00

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