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AGR19030EF	文件：355 Kbytes Page：10 Pages	30 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor Introduction TheAGR19030EFisa30W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),timedivisionmultipleaccess	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
MRF19030	文件：390.98 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz,	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF19030	文件：425.44 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz,26Volts IS-95	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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详细参数

型号：
AGR19030EF
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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