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AGR19030EF规格书详情
Introduction
The AGR19030EF is a 30 W, 28 V N-channel laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for personal communication service (PCS) (1930 MHz—1990 MHz), global system for mobile communication (GSM/EDGE), time division multiple access (TDMA), and single-carrier or multi-carrier class AB power amplifier applications.
产品属性
- 型号：
AGR19030EF
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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