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AG194FPD3HRB	文件：2.50993 Mbytes Page：14 Pages	丝印：AG194FPD3；Package：TO-252；Nch 100V 80A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application Automotive Systems 文件：2.50993 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
AG194FPD3HRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive AG194FPD3HRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
AG201-63G	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原封	QORVO 威讯联合上传：深圳科宇泰科技有限公司	QORVO
AG203-63G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT363	QORVO 威讯联合上传：君宇国际实业有限公司	QORVO
AGL1000V2-CS281I	文件：0 bytes Page：0 Pages	281-TFBGA	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	MICROSEMI

技术参数

封装：
TO-252 (TL)
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：
0.0059
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0048
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)：
0.0059
Total gate charge Qg[nC]：
29
Power Dissipation (PD)[W]：
142
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ)[ns]：
71
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
175
Package Size [mm]：
6.2x6.6 (t=2.4)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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