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AFN4102W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET	Alfa-MOS 闸能	Alfa-MOS
AM4102	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AM4102 is available in a TO252-2 package. FEATURES  VDS=30V, ID=50A RDS(ON) 文件：752 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM4102DR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AM4102 is available in a TO252-2 package. FEATURES  VDS=30V, ID=50A RDS(ON) 文件：752 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM4102DVR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AM4102 is available in a TO252-2 package. FEATURES  VDS=30V, ID=50A RDS(ON) 文件：752 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI

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深圳和润天下电子科技有限公司	AFN4102WS8RG	ALFA-MOS	12+	SOP-8P	7500		询价

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