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FGH40T65SQD	文件：937.77 Kbytes Page：11 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T65UPD	文件：308.16 Kbytes Page：10 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40T65UPD	文件：366.77 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·HighInputImpedance ·HighCurrentCapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.65V(Typ.)@IC=40A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGH40T65UQDF	文件：1.22822 Mbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T65LQDT	文件：211.97 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V Fieldstop4thgenerationLowVCE(Sat)IGBTtechnologyandFull currentratedcopakDiodetechnology. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.15V(Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T65MQD	文件：338.01 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T65MQDT	文件：257.72 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBQ40T65FDSC	文件：1.5971 Mbytes Page：9 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features HighSpeedSwitching&LowPowerLoss V=1.95V@I=40A	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T65FDSCTH	文件：1.5971 Mbytes Page：9 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features HighSpeedSwitching&LowPowerLoss V=1.95V@I=40A	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T65FESC	文件：1.88982 Mbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	AFGB40T65SQDN	onsemi(安森美)	24+	D2PAK	1471	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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