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AF7N60S

MOS(场效应管)

Anbonsemi

安邦

AOD7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:309.96 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOD7N60

600V,7A N-Channel MOSFET

文件:393 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOI7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.16 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    600V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    1.3 Ω @ 3.5A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    36W(Tc)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AnBon(台湾安邦)
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ITO-220AB
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更多AF7N60S供应商 更新时间2026-3-17 15:01:00