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ATMEGA649V	文件：329.41 Kbytes Page：28 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATmega329/3290/649/6490isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATmega329/3290/649/6490achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptim	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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BD649	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD649	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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BD649	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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产品属性

产品编号：
ADXRS649BBGZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
传感器，变送器 > 运动传感器 - 陀螺仪
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
模拟
轴：
Z（横滚）
范围 °/s：
±20000
灵敏度 (mV/°/s)：
0.1
带宽：
2kHz
输出类型：
模拟电压
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
特性：
温度传感器
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
封装/外壳：
32-BFCBGA
描述：
IC GYROSCOPE YAW RATE 32CBGA

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更多ADXRS649BBGZ供应商更新时间2024-5-1 14:14:00

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