超紧凑精密 3.0 V 基准电压源

 ADR01、 ADR02、 ADR03 和 ADR06 分别是具有高精度、高稳定性和低功耗的精密 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙基准电压源。这些套件密封在微型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装中，另外提供 8 引脚 SOIC 版本。ADR01、ADR02 和 ADR03 的 SOIC 版本是行业标准 REF01、REF02 和 REF03 的简易替换器件1 。小尺寸和宽工作范围使得 ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 基准电压源适用于通用和空间受限应用。\n\n 在配备外部缓冲器和简单电阻器网络的情况下，可以使用 TEMP 引脚来进 • 超紧凑 SC70 和 TSOT 封装\n\n• 低温度系数\n\n• 8 引脚 SOIC：3 ppm/°C（典型值）\n\n• 5 引脚 SC70：9 ppm/°C（最大值）\n\n• 5 引脚 TSOT：9 ppm/°C（最大值）\n\n\n\n\n• 初始精度 ±0.1%\n\n• 无需外部电容器\n\n• 低噪声 10 μV p-p，0.1 Hz 至 10.0 Hz (ADR02);

ADI

亚德诺

SiC MOSFET

SIC MOSFET ,安海半导体推出基于世界领先的车规级平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻优点。具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

ANHI

安海半导体

DIP Power Inductors

ARILTECH

今展

Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 电压基准 描述：IC VREF SERIES 0.2% SC70-5

AD

亚德诺

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 电压基准 描述：IC VREF SERIES 0.2% 8SOIC

AD

亚德诺

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 电压基准 描述：IC VREF SERIES 0.2% 8SOIC

AD

亚德诺