ADR065N028AH数据手册ANHI中文资料规格书

描述 Description

SIC MOSFET ,安海半导体推出基于世界领先的车规级平面高密度工艺与沟槽工艺的第三代宽禁带功率半导体碳化硅SIC MOSFET产品，产品性能：高频率、高功率、高效率、低导通电阻优点。具有电流密度高、开关速度快、浪涌和短路能力强等优点，电压覆盖1200V、1700V、1900V,典型应用领域为新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、储能电源、风力发电、轨道交通等。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。