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ADM40N03Z	文件：424.49 Kbytes Page：6 Pages	Marking：M40N03Z；Package：PDFN33；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM40N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
AP40N03GJ-HF	文件：102.8 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingCharacteristicRoHSCompliant&Halogen-Free	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP40N03GP	文件：982.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP40N03GP	文件：106.24 Kbytes Page：4 Pages	LowGateChargeSimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplica	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
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