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ADM40N03Z中文资料爱德微数据手册PDF规格书

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厂商型号

ADM40N03Z

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

丝印标识

M40N03Z

封装外壳

PDFN33

文件大小

424.49 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ADV

中文名称

爱德微

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 13:00:00

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ADM40N03Z规格书详情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Green Device Available

Description:

The ADM40N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI/亚德诺
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